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2013年复旦大学070205凝聚态物理考研大纲

  考研网快讯,据复旦大学研究生院消息,2013年复旦大学凝聚态物理考研大纲已发布,详情如下:
  《半导体器件原理》
  包括半导体器件的物理基础,双极型和MOS场效应晶体管的工作原理、特性和模型,以及影响器件特性的主要因素和一些常见非理想效应。
  考试题型:选择题、名词解释、推导题、计算题
  总分:150分
  一.半导体的电子状态
  1.半导体的晶体结构、晶列晶面指数、结合性质
  2.半导体中的电子状态和能带
  3.载流子在外场下的运动规律
  4.杂质和缺陷能级
  二.半导体的载流子统计
  1.状态密度和统计分布函数
  2.本征半导体、杂质半导体、简并半导体的统计
  三.半导体的载流子输运
  1.载流子的散射
  2.迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
  3.强电场下的输运
  4.霍耳效应
  四.非平衡载流子
  1.非平衡载流子的直接复合与间接复合
  2.陷阱效应
  3.载流子的扩散运动、双极扩散
  4.连续性方程
  五.pn结、金半接触以及异质结
  1.平衡pn结的特性
  2.pn结的电流-电压特性
  3.pn结的势垒电容与扩散电容
  4.pn结的频率特性和开关特性
  5.pn结的击穿
  6.金半接触能带图以及电流-电压特性
  7.欧姆接触
  8.异质结能带图以及二维电子气
  六.双极型晶体管的直流特性
  1.双极型晶体管的基本原理
  2.双极型晶体管的直流特性及其非理想现象
  3漂移晶体管的直流特性
  4.双极型晶体管的反向特性
  5.Ebers-Moll方程
  七.双极型晶体管的频率特性与开关特性
  1.低频小信号等效电路
  2.放大系数的频率特性以及相关的几个时间常数
  3.高频等效电路
  4漂移晶体管、异质结双极型晶体管的基本原理
  5.电荷控制理论与双极型晶体管开关时间
  八.半导体表面与MOS结构
  1.半导体表面空间电荷层的性质
  2.实际Si-SiO2界面
  3.理想与实际MOS结构的C-V特性
  九.MOS场效应晶体管的直流特性
  1.MOSFET的结构和工作原理
  2.MOSFET的阈值电压以及影响因素
  3.MOSFET的输出特性和转移特性(包括亚阈值特性和其它二级效应)
  4.MOSFET的直流参数
  5.MOSFET的击穿特性
  6.MOSFET的小尺寸效应原理
  7.载流子速度饱和以及短沟道MOSFET的直流特性
  8.MOSFET的按比例缩小规律
  十.MOSFET的频率特性与开关特性
  1.MOSFET的交流小信号等效电路
  2.MOSFET的高频特性
  3.常见MOS倒相器及其开关特性

  电磁场与电磁波大纲
  考试题型:问答题,分析计算题。
  第一部分静态电磁场
  一、静态电磁场
  静电场、恒定电场、恒定磁场的基本规律:
  掌握电荷守恒定律、安培环路定律、法拉第电磁感应定律。
  掌握Maxwell方程、静态电磁场的边界条件。
  静态电磁场的边值问题:
  掌握波动方程、边值问题、唯一性定理。
  掌握分离变量法:直角坐标系中的分析计算。
  掌握镜像法,包括导体平面、介质平面、导体球面模型的分析和计算。
  第二部分电磁波
  二、时谐电磁场与平面电磁波
  掌握时谐场的复数形式、复Maxwell方程、Poynting矢量和Poynting定理
  掌握理想介质和导电媒质中平面电磁波的传播特性。
  掌握电磁波的极化,能根据表达式分析极化特性。
  掌握电磁波的反射与透射:导体和介质分界面,垂直入射和斜入射情况。
  三、导行电磁波
  能分析矩形波导传播特性。
  四、电磁辐射与天线
  掌握滞后位的概念。
  掌握电偶极子的辐射:近区场与远区场的基本性质。
  了解天线的基本参数:方向图、增益、输入阻抗、带宽、极化。
  了解对称振子天线的辐射:辐射场的计算、辐射方向图。
  了解天线阵:方向性相乘原理、均匀直线阵的辐射。
  掌握口面天线:惠更斯面与等效原理、矩形口面辐射。

  《电路与系统基础》专业课程考试大纲
  第一部分电子电路
  考试题型:概念问答题、计算题
  总分:100分
  一、基本放大电路
  晶体管单管放大器:
  估算直流工作点,估算放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗、频率特性;
  三种接法放大器主要性能指标的异同,能够在不同场合正确选择合适的电路。
  场效应管单管放大器:
  估算直流工作点,估算放大器的增益;
  差分放大器:
  估算直流工作点,估算放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗;
  共模抑制比的概念以及估算方法。
  互补输出电路:
  工作原理和电路特点;产生交越失真的原因以及消除方法。
  多级放大器:
  估算多级放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗、频率特性。
  二、负反馈
  反馈的基本概念:
  正确判断反馈的正负极性;正确判断直流反馈与交流反馈;正确判断四种不同的负
  反馈组态;四种不同负反馈组态的电路特点及其对电路性能产生影响的比较;根据
  需要在电路中引入合适的反馈形式。
  深度负反馈放大器:
  深度负反馈概念;计算深度负反馈放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗。
  负反馈放大器的稳定性:
  负反馈放大器产生自激振荡的原因,消除振荡的方法。
  三、集成运算放大器及其应用基础
  集成运放的主要性能参数:
  差模增益、共模增益、共模抑制比、输入失调、单位增益带宽、转换速率。
  基于集成运放的线性电路的基本分析:
  理想运放概念以及基本分析方法:虚短路虚开路法;
  基于集成运放的线性应用电路的电压传递函数;
  典型应用电路分析。

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