2016年哈尔滨工业大学0805Z2信息功能材料与器件考研大纲

　　据哈尔滨工业大学研究生院消息，2016年哈尔滨工业大学0805Z2信息功能材料与器件考研大纲已发布，详情如下：
　　考试科目名称：半导体物理Ⅱ考试科目代码：[829]
　　《半导体物理》考试大纲
　　一、考试要求：
　　要求考生系统地掌握半导体物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半导体的物理性能。要求考生对半导体的晶体结构和能带论、载流子统计分布、载流子输运过程、p-n结理论、金属-半导体接触理论、半导体光电效应等基本原理有很好的掌握，并能熟练运用分析半导体的光电特性。

　　二、考试内容：
　　1）半导体晶体结构和能带论
　　a:半导体晶格结构及电子状态和能带
　　b:半导体中电子的运动
　　c:本征半导体的导电机构
　　d:硅和锗及常用化合物半导体的能带结构

　　2)杂质半导体理论
　　a:硅和锗晶体中的杂质能级
　　b:常用化合物半导体中的杂质能级
　　c:缺陷、位错能级

　　3)载流子的统计分布
　　a:状态密度与载流子的统计分布
　　b:本征与杂质半导体的载流子浓度
　　c:一般情况下载流子统计分布
　　d:简并半导体

　　4)半导体的导电性
　　a:载流子的漂移运动与散射机构
　　b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
　　c:多能谷散射、耿氏效应

　　5)非平衡载流子
　　a:非平衡载流子的注入、复合与寿命
　　b:准费米能级
　　c:复合理论、陷阱效应
　　d:载流子的扩散、电流密度方程
　　e:连续性方程

　　6)p-n结理论
　　a:p-n结及其能带图
　　b:p-n结电流电压特性
　　c:p-n结电容、p-n结隧道效应

　　7)金属-半导体接触理论
　　a:金-半接触、能带及整流理论
　　b:欧姆接触

　　8)半导体光电效应
　　a:半导体的光学性质（光吸收和光发射）
　　b:半导体的光电导效应
　　c:半导体的光生伏特效应
　　d:半导体发光二极管、光电二极管

　　三、试卷结构：
　　a)考试时间：180分钟，满分：150分

　　b)题型结构
　　a:概念及简答题（60分）
　　b:论述题（90分）

　　c）内容结构
　　a:半导体晶体结构和能带论及杂质半导体理论（30分）
　　b:载流子的统计分布（20分）
　　c:半导体的导电性（20分）
　　d:非平衡载流子（20分）
　　e:p-n结理论和金属-半导体接触理论(30分)
　　f:半导体光电效应(30分)

　　四、参考书目
　　1.刘恩科，朱秉升，罗晋升编著.半导体物理学.电子工业出版社,2011.03.
　　2.[美]施敏（S.M.Sze），半导体器件物理，电子工业出版社，1987.12.

　　（实习编辑：杨颖雄）